안녕하세요.

 

반도체 회사에서 일 하고 있는 연구원이지만, 플라즈마에 관한 지식이 부족하여 이렇게 질문드립니다.

 

Plasma etch rate에 관하여 궁금한 것이 있어 이렇게 글을 남기게 되었습니다.

 

CCP 방식으로 etch를 진행하는 챔버를 PM 후 공정결과가 E/R이 증가되는 경향이 보였습니다.

 

로그를 분석 해본 결과, PM 전후로 달라진 점은 shunt 값이 감소한 것 밖에는 없습니다.

 

RF V,I 도 변화하였지만, 그 값들은 shunt가 변함에 따라 변한 것으로 생각하였습니다.

 

제가 궁금한 점은

 

1. PM만 진행하였을 때 shunt 값이 변할 수 있나요?

 

2. 감소한 shunt 값으로 인하여 E/R이 증가할 수 있나요?

 

3. Shint 값이 변화한 것은 챔버 내부의 저항이 변화되었을 가능성이 가장 큰 것일까요?

 

이상입니다. 감사합니다!

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76539
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
162 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] 661
161 Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] 1289
160 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] 262
159 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] 353
158 PEALD 장비에 관해서 문의드리고 싶습니다. [1] 391
157 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 594
156 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 965
155 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] 353
154 기판표면 번개모양 불량발생 [1] 590
153 OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [1] 28680
152 O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. 725
151 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2357
150 Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] 951
149 RF Sputtering Target Issue [2] file 570
148 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] 1783
147 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] file 535
146 Polymer Temp Etch [1] 635
145 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 455
144 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 598
143 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 1026

Boards


XE Login