Deposition PECVD 증착에서 etching 관계 [PECVD 증착]

2019.03.20 09:00

음월 조회 수:1708

안녕하십니까? 현재 CVD 장비 회사에 재직중입니다.

 

다름이 아니라 PECVD 를 이용한 SiNx 증착 test 중, 두께가 쌓을수록 굴절률이 낮아지는 현상으로

 

많은 고뇌를 하고 있습니다.

 

SiNx 증착에 사용되는 GAS 는 SiH4, Ar, H2, NH3, N2 총 5가지 입니다.

 

원하는 시간에 target 두께의 막은 얻지만, 굴절률이 점점 감소합니다.

(plasma 노출시간에 길어지면 길어질수록 굴절률이 더더욱 감소합니다.)

 

쌓일수록 ETCHING 으로인해 박막이 porous 해질 수 있는지,

 

혹은 특별한 경우가 있는지 여쭙고자 질문드립니다.

 

이상입니다.

감사합니다.

, , , 이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [313] 79257
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21270
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58068
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69625
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 94416
93 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2395
92 doping type에 따른 ER 차이 [MD 시뮬레이션 연구] [1] 2252
91 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [MFC와 residence time] [1] 2171
90 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [PECVD와 PACVD] [1] 2153
89 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [소자 식각 데미지] [1] 2151
88 플라즈마 에칭과 표면처리의 차이점 질문드립니다. [Cleaning, sputter etching, RIE] [1] 2135
87 RF FREUNCY와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [CCP와 ionization] [1] 2013
86 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [ER과 self bias] [1] 1952
85 CVD품질과 RF Delibery power 관계 질문 [RF power와 plasma information] [1] 1929
84 Ashing 공정에 필요한 O2plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [전자 충돌 이온화 반응 해리 반응 흡착 반응] [1] 1895
83 터보펌프 에러관련 [터보 펌프 구동 압력] [1] 1845
82 Pecvd장비 공정 질문 [Dusty plasma와 벽면 particle 제어] [1] 1816
» PECVD 증착에서 etching 관계 [PECVD 증착] [1] 1708
80 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [표면 화학 반응] [1] 1608
79 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [라디컬의 화학반응성 및 DC 타깃 전극] [1] 1532
78 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [Matcher의 알고리즘] [1] 1527
77 Ar plasma power/time [Self bias와 sputtering 효과] [1] 1519
76 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [Matcher와 dynamic impedance] [1] 1514
75 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1489
74 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [수소의 확산과 쉬스에 의한 가속] [4] 1404
쓰기
태그

Boards

XE Login