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공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69617
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 94402
93 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2394
92 doping type에 따른 ER 차이 [MD 시뮬레이션 연구] [1] 2247
91 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [MFC와 residence time] [1] 2167
90 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [PECVD와 PACVD] [1] 2153
89 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [소자 식각 데미지] [1] 2148
88 플라즈마 에칭과 표면처리의 차이점 질문드립니다. [Cleaning, sputter etching, RIE] [1] 2133
87 RF FREUNCY와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [CCP와 ionization] [1] 2013
86 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [ER과 self bias] [1] 1949
85 CVD품질과 RF Delibery power 관계 질문 [RF power와 plasma information] [1] 1927
84 Ashing 공정에 필요한 O2plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [전자 충돌 이온화 반응 해리 반응 흡착 반응] [1] 1892
83 터보펌프 에러관련 [터보 펌프 구동 압력] [1] 1845
82 Pecvd장비 공정 질문 [Dusty plasma와 벽면 particle 제어] [1] 1815
81 PECVD 증착에서 etching 관계 [PECVD 증착] [1] 1707
80 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [표면 화학 반응] [1] 1602
79 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [라디컬의 화학반응성 및 DC 타깃 전극] [1] 1531
78 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [Matcher의 알고리즘] [1] 1527
77 Ar plasma power/time [Self bias와 sputtering 효과] [1] 1519
76 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [Matcher와 dynamic impedance] [1] 1512
75 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1488
74 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [수소의 확산과 쉬스에 의한 가속] [4] 1404

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