Deposition 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다.

2019.05.22 16:11

Beatrice 조회 수:608

안녕하세요. 반도체 회사에 근무중인 회사원 입니다.


다름이 아니고 PECVD로 박막 증착 시 Radical들의 움직임에 관해 궁금한 점이 있어서 글을 올립니다.


Radical이 Wafer위에서 migration후 반응하여 island를 만들고 그 섬들이 성장하여 박막을 형성하는 것으로 알고 있는데


Radical이 가지는 에너지, 기판의 온도, 기판을 이루는 물질과의 결합에너지 등을 통해 Radical이 기판위에서


평균적으로 얼마나 움직이는지, 어느 위치를 안정적인 site로 인식하고 반응하는지 등을 알 수 있을까요?

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [218] 75407
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 19148
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 56477
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 67534
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 89320
52 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 1053
51 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1037
50 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] 981
49 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 977
48 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 975
47 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 965
46 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] 923
45 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 905
44 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] 904
43 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 888
42 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 834
41 O2 Asher o-ring 문의드립니다. [1] 774
40 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 773
39 플라즈마 세정 장비 (CCP구조)에서 자재 로딩 수에 따른 플라즈마 효과 및 Discolor [1] file 747
38 플라즈마 이용 metal residue 제거방법 문의드립니다. [1] 709
37 Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] 696
36 ICP 후 변색 질문 668
35 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [2] 645
34 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [1] 634
33 O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. 623
쓰기
태그

Boards

XE Login