Deposition 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다.

2019.05.22 16:11

Beatrice 조회 수:902

안녕하세요. 반도체 회사에 근무중인 회사원 입니다.


다름이 아니고 PECVD로 박막 증착 시 Radical들의 움직임에 관해 궁금한 점이 있어서 글을 올립니다.


Radical이 Wafer위에서 migration후 반응하여 island를 만들고 그 섬들이 성장하여 박막을 형성하는 것으로 알고 있는데


Radical이 가지는 에너지, 기판의 온도, 기판을 이루는 물질과의 결합에너지 등을 통해 Radical이 기판위에서


평균적으로 얼마나 움직이는지, 어느 위치를 안정적인 site로 인식하고 반응하는지 등을 알 수 있을까요?

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [320] 85706
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 22608
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 59303
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 71042
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 98081
74 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [수소의 확산과 쉬스에 의한 가속] [4] 1485
73 Plasma etch 관련 질문이 드립니다. [Sheath와 uniformity] [1] 1463
72 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [O2 plasma, ion sputtering] [1] 1421
71 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [베르누이 정리] [1] 1403
70 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [나노광전자 데이터 분석] [1] 1396
69 etch defect 관련 질문드립니다 [Plasma distribution] [1] 1387
68 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [플라즈마 방전 및 이온 가속] [1] 1368
67 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [Chamber impedance와 공정 드리프트 진단 인자] [1] 1365
66 Vacuum chamber(Etching)내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계 [Plasma bulk Temp와 wall Temp] [2] 1311
65 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [Chucking/dechucking 파티클 제어] [1] 1306
64 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [Self bias] [1] 1292
63 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1290
62 sticking coefficient 관련 질문입니다. [HAR, LF bias] [1] 1262
61 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다. [플라즈마 식각기술, Plasma Etching] [3] 1245
60 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1231
59 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [CCP 균일도, CCP edge] [1] 1163
58 플라즈마 세정 장비 (CCP구조)에서 자재 로딩 수에 따른 플라즈마 효과 및 Discolor [CCP 방전 원리] [1] file 1142
57 플라즈마 이용 metal residue 제거방법 문의드립니다. [세정 공정 개발] [1] 1106
56 O2 Asher o-ring 문의드립니다. [Plasma heat와 dissociation] [1] 1078
55 Plasma 표면 개질에 대해 질문드립니다. [O2 플라즈마와 Ar 플라즈마] [1] 1025
쓰기
태그

Boards

XE Login