안녕하세요. 전남대학교 정세훈이라고 합니다.
몇가지 궁금한점이 있어 질문드립니다

a)       the typical energy of sputtered Cu atoms if the Ar ion has an energy of 500 eV.

b)       the typical energy of sputtered Cu atoms if the Ar ion has an energy of 5000 eV

Cu원자의 에너지값이 어떻게되나요? 여러논문을 검색해보았는데
thompson distribution E/(E+Eb) 에 대해서는 나오는데.. 계산이 잘 안돼서요..
--------------------
위의 질문에 대한 참고 자료를 군산대학교 주정훈교수님께서 올려 주셨습니다. 그림과 같이 Kr 입자 조사에 의한 스퍼터링된 Cu의 에너지 및 이탈 속도 함수를 보여주고 있습니다. Ar과 조사 입자의 질량 차이가 있을 뿐 이를 고려한다면 거의 현상은 유사할 것으로 판단됩니다. 이 자료는 교재에 있다고 하니 참고하시기 바랍니다. 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [311] 79140
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21230
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58041
» kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69589
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 94345
73 플라즈마 색 관찰 [플라즈마 빛과 OES신호] [1] 4538
72 DRAM과 NAND 에칭 공정의 차이 ["플라즈마 식각 기술"] [1] 5647
71 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [반응성 기체 생성] [1] 5682
70 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6229
69 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [ER과 energy transport] [1] file 6257
68 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [물리적/화학적 세정] [4] 6479
67 플라즈마 데미지에 관하여.. [Charge의 축적과 damage] [1] 6559
66 O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] 6602
65 안녕하세요, 질문드립니다. [플라즈마 토치와 환경처리] [2] 6612
64 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [Bias power] [1] 7258
63 플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [RRC 연구센터 문의] [1] 7769
62 고온 플라즈마 관련 8108
61 플라즈마 균일도에 대해서 질문드립니다. [플라즈마 밀도와 중성 가스의 균일도] [1] 8143
60 Ar Gas 량에 따른 Deposition Rate 변화 [Depo radical 형성 및 sputtering] [1] 8743
59 공기정화기, 표면개질, PDP. 플라즈마응용 9297
58 에칭후 particle에서 발생하는 현상 9624
57 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [플라즈마트 및 휘팅커 회사] [1] 10422
56 N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다. [쉬스 전위 및 플라즈마 세정] [1] 11863
55 ICP와 CCP의 차이 [Self bias와 Maxwellian distribution] [3] 12726
54 플라즈마 절단기에서 발생 플라즈마 14765

Boards


XE Login