Etch doping type에 따른 ER 차이
2022.02.22 19:14
안녕하세요.
반도체 식각 산업에 몸담고 있는 이주현입니다.
다름이 아니라 Doping type 별 ER이 달라짐이 확인되어 그 메커니즘에 대한 고견을 얻고자 글을 씁니다.
Gas는 Cl2 N2 base로
Si (non-doping) VS SiGe(non-doping) 에서는
SIGe가 Etch Rate이 더 빨랐는데
Si (p doping/ nmos) VS SiGe(Ga doping / pmos) 에서는
Si (p doping/ nmos) 경우가 Etch Rate이 빨랐습니다.
혹시 도핑만으로 Etch Rate이 바뀔 수 있을까요?
P doping을 하게 되면 전자가 하나 남고 이게 Cl을 더 빠르게 붙도록 유도해서
그 결과 Etch Rate이 더 높은걸까요?
Bonding energy나
Gibbs energy를 찾아보았지만 모든 수치를 확인하지 못해서
결론을 못내리고 있습니다.
추가로 gibbs energy 수치가 plasma etch rate에 영향을 줄까요?
감사합니다.
이주현 드림.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76714 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20170 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57164 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68696 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92273 |
182 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 56 |
181 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 61 |
180 | sputtering 을 이용한 film depostion [1] | 110 |
179 | FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 | 169 |
178 | 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [1] | 175 |
177 | 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [1] | 184 |
176 | AP plasma 공정 관련 문의 [1] | 197 |
175 | Cu migration 방지를 위한 스터디 [1] | 205 |
174 | GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] | 214 |
173 | Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] | 228 |
172 | Etch Plasma 관련 문의 건.. [1] | 232 |
171 | gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [1] | 250 |
170 | 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] | 272 |
169 | RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] | 290 |
168 | RIE Gas 질문 하나 드려도될까요? [1] | 315 |
167 | RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] | 354 |
166 | 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] | 364 |
165 | 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [1] | 386 |
164 | center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2 | 394 |
163 | PEALD 장비에 관해서 문의드리고 싶습니다. [1] | 398 |
지금은 잊었습니다만 관련 주제의 연구 결과를 읽은 적이 있습니다. 당연히 식각률이 달랐던 것으로 기억합니다. 선행 연구가 있으니 한번 찾아 보시면 좋을 것 같습니다.
아울러 표면 화학과 관련해서는 전북대학교 임연호 교수님께서 MD 시뮬레이션 연구 결과를 참고하시면 도움이 되실 것 같습니다.