안녕하세요 교수님

반도체 후공정 회사를 다니고 있는 직장인입니다.

 

공정 진행 후 leakage test 결과 leakage current가 높게 나온 문제점이 발생하였습니다.

내부 엔지니어 문의 결과 O2 descum공정이 metal residue를 없애는데 도움을 준다는 답변을 받았습니다.

따라서 추가적으로 O2 descum을 진행했지만, leakage 문제는 개선되지 않았습니다.

metal residue를 없애기 위해 다른 가스(Ar, H2N2, CF4 등)를 이용한 플라즈마가 더 효과적인지 알고싶어 질문드립니다.

 

혹은, leakage를 개선할 수 있는 방법이 있다면 조언해주시면 감사드립니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76539
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
162 타겟 임피던스 값과 균일도 문제 [1] 399
161 PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [1] 423
160 Plasma 표면개질에 대해 질문드립니다. [1] 440
159 remote plasma 를 이용한 SiO2 etching 질문드립니다. [1] 440
158 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 455
157 PECVD Uniformity [1] 466
156 magnetic substrate와 플라즈마 거동 [3] 469
155 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] file 535
154 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [1] 536
153 RF Sputtering Target Issue [2] file 570
152 기판표면 번개모양 불량발생 [1] 590
151 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 594
150 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 598
149 Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다. [1] file 633
148 Polymer Temp Etch [1] 635
147 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] 661
146 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다 [1] 672
145 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [1] 686
144 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [2] 689
143 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 692

Boards


XE Login