안녕하세요?

플라즈마를 공부하고 있는 학생입니다. 질문이 있어서 이렇게 글을 남기게 되었습니다.

일반적으로 논문등을 살펴보게 되면 Ar fraction이 (예를들어 Ar(Cl2+Ar 혼합가스) 증가할 수록, Te(Electron Temperature)

값이 증가하는 경향이 나옵니다. (Ion Density 역시 증가합니다.)

실험을 하던 도중. Ar fraction이 증가할수록, Te값이 떨어지는 현상을 발견하였습니다.(하지만 Ion Density는 증가)

이를 어떻게 해석되어야 하는지 잘 모르겠습니다.

일반적으로라면 Ar이 이온화되면서 많은 gas reaction을 야기 하겠으나,

정형화된 data에 대하여 반대의 경향성이 나온 경우 어떻게 해석되어야 할까요?

 

추가적인 실험환경에 대한 설명을 덧붙여 드리자면,

(기존의 Chamber wall은 퀄츠 재질로 Ar fraction에 대하여 Te는 증가하였습니다. 하지만 Chamber를 Al 재질로 바꾼후

위와 같은현상이 발견되었습니다.)

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [129] 5614
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16912
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51351
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64223
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 84303
112 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 993
111 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] 1016
110 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 1021
109 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1099
108 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1102
107 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1121
106 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 1164
105 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 1175
104 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 1203
103 Ar plasma power/time [1] 1221
102 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1244
101 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1260
100 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] 1292
99 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 1427
98 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 1458
97 RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] 1494
96 터보펌프 에러관련 [1] 1503
95 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 1513
94 etching에 관한 질문입니다. [1] 1573
93 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 1621

Boards


XE Login