안녕하세요, 저는 반도체 장비 회사에서 PECVD 설비를 개발하고 있는 이장혁이라고 합니다.


최근 개발하고 있는 설비의 CONTACT FILL 능력이 문제가 되고 있는데요, 일단 DEPO RATE 관점에서 원인을 찾으려고 하고 있습니다.


PECVD 공정의 D/R 에 영향을 주는 인자는 여러가지가 있겠지만 여기서 여쭤보고 싶은 건 FREQUENCY 인데요....


다른 조건이 고정되어 있을 때 FREQUENCY 가 높아지면 D/R 이 빨라지나요? 참고로 말씀드리면 DEPO 하는 막질은 TI 이고 PRECURSOR 로는 TICL4 를 사용합니다.  

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76650
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20148
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57148
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68669
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92127
122 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 1173
121 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 1179
120 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 1240
119 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] 1288
118 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 1302
117 Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] 1341
116 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 1372
115 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] 1378
114 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1407
113 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1418
112 Ar plasma power/time [1] 1435
111 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 1489
110 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1656
109 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1712
108 터보펌프 에러관련 [1] 1751
107 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1785
» RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] 1834
105 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] 1834
104 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 1922
103 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 1955

Boards


XE Login