질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
2010.11.25 15:38
플라즈마에 관심있으신 모든 분이 활용하고 플라즈마의 지식을 공유할수 있는 공간을 제공한다라는 원칙을 갖고 있습니다. 따라서 의견을 개진 하실 때는 자신의 이름을 분명히 밝혀주셔야 합니다. 그럼으로써 서로 알고 있는 플라즈마의 지식을 자유롭게 공유할 수 있을 것 입니다. 이 사항을 협조하여 주지기 바랍니다. 본인의 이름을 밝히지 않는 사람의 의견은 일주일 이내에 내용이 삭제됩니다.
댓글 3
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [220] | 75427 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 19163 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 56479 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 67557 |
| » | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 89368 |
| 72 | SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] | 4613 |
| 71 |
SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유
[1]  | 5097 |
| 70 | DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] | 5232 |
| 69 | 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] | 5268 |
| 68 | RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] | 5843 |
| 67 | 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 | 5877 |
| 66 | O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] | 6177 |
| 65 | 플라즈마 데미지에 관하여.. [1] | 6383 |
| 64 | 안녕하세요, 질문드립니다. [2] | 6544 |
| 63 | 플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [1] | 7652 |
| 62 | 플라즈마 균일도에 대해서 질문드립니다. [1] | 7867 |
| 61 | 고온 플라즈마 관련 | 8064 |
| 60 | Ar Gas 량에 따른 Deposition Rate 변화 [1] | 8361 |
| 59 | 공기정화기, 표면개질, PDP. 플라즈마응용 | 9208 |
| 58 | 에칭후 particle에서 발생하는 현상 | 9360 |
| 57 | 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [1] | 10156 |
| 56 | N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다. [1] | 10528 |
| 55 | ICP와 CCP의 차이 [3] | 12040 |
| 54 | 플라즈마 절단기에서 발생 플라즈마 | 14703 |
| 53 | 산업용 플라즈마 내에서 particle의 형성 | 14989 |