.반도체회사에서 pecvd 담당하고 있는 초보인데요. 궁금한게 몇개 있어 물어보겠습니다.

1.  pecvd 증착 후 wafer edge에 많은 defect을 해결하는 방법 (center는 깨끗함, edge에만 defect이 수없이 많음)

2. pecvd deposition 중  reflected power가  팅기는 현상으로 인해 두께가 낮아지거나 높아지는 현상이 있나요? 있다면 해결방법 알려주세요.

3. 한번 공정할때 wafer가 5장이 들어가는데 최대한 두께가 균일하게 증착할 방법이 있을까요? 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76540
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68615
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91696
82 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3146
81 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3189
80 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3491
79 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 3625
78 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3764
77 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 3857
76 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3949
75 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 4122
74 플라즈마 색 관찰 [1] 4194
73 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4244
72 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5185
71 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5423
70 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5735
69 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6045
68 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6201
67 O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] 6359
66 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 6388
65 플라즈마 데미지에 관하여.. [1] 6484
64 안녕하세요, 질문드립니다. [2] 6569
63 플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [1] 7695

Boards


XE Login