안녕하세요. 전남대학교 정세훈이라고 합니다.
몇가지 궁금한점이 있어 질문드립니다

a)       the typical energy of sputtered Cu atoms if the Ar ion has an energy of 500 eV.

b)       the typical energy of sputtered Cu atoms if the Ar ion has an energy of 5000 eV

Cu원자의 에너지값이 어떻게되나요? 여러논문을 검색해보았는데
thompson distribution E/(E+Eb) 에 대해서는 나오는데.. 계산이 잘 안돼서요..
--------------------
위의 질문에 대한 참고 자료를 군산대학교 주정훈교수님께서 올려 주셨습니다. 그림과 같이 Kr 입자 조사에 의한 스퍼터링된 Cu의 에너지 및 이탈 속도 함수를 보여주고 있습니다. Ar과 조사 입자의 질량 차이가 있을 뿐 이를 고려한다면 거의 현상은 유사할 것으로 판단됩니다. 이 자료는 교재에 있다고 하니 참고하시기 바랍니다. 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [317] 82768
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21988
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58768
» kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 70400
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 96353
193 플라즈마 식각 커스핑 식각량 99
192 RF sputtering reflect power에 대해서 질문 남깁니다. 153
191 ExB drift 식 유도 과정에서의 질문 [삼각함수의 위상각] [1] 158
190 ICP 장비 TCP Reflect 발생 간 조언 부탁드립니다. [1] 160
189 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [Base pressure 이해] [1] 189
188 Wafer Capacitance 성분과 Vdc 관계 문의드립니다. [Sheath 크기 및 전위 분포] [1] 197
187 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [Sheath uniformity 이해] [1] 228
186 가스 조성 및 온도에 따른 식각률 관련 질문입니다. [Arrhenius equation 이해] [1] 229
185 Debey Length에 대해 문의 드립니다. [플라즈마 정의와 Deybe length] [1] 243
184 HF PLASMA DEPOSITION 시 POWER에 따른 DEP RATE 변화 [장비 플라즈마, Rate constant] [1] 243
183 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [환경 플라즈마] [1] file 253
182 AP plasma 공정 관련 문의 [OES 활용 장비 플라즈마 데이터 분석] [1] 277
181 Dielectric Etcher(CCP)에서 사용하는 주파수 [Plasma frequency 및 RF sheath] [2] 284
180 Sputtering을 이용한 film deposition [진공 및 오염입자의 최소화] [1] 295
179 FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 305
178 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [박막] [1] 318
177 ICP dry etch 시 공정 문의 사항. [1] 337
176 Cu migration 방지를 위한 스터디 [전자재료] [1] 357
175 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [Ar, O2 플라즈마 생성 특성] [1] 360
174 gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [박막 문제] [1] 381

Boards


XE Login