Etch Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유

2023.03.24 09:08

노루 조회 수:274

안녕하세요. 교수님

후공정 기업에서 Sputtering 공정을 관리하는 신입 엔지니어입니다.

 

일을 배우며, 전공적으로 이해가 되지 않는 부분이 있으나,

이론적으로 알려주는 선배들이 없어 교수님 도움 받고자 질문글 남깁니다.

 

저희는 박막 증착 전, 표면적을 넓혀 adhesion을 높이기 위해,

Ar Plasma Etching을 진행하고 있습니다.

허나, 표면이 Metal 혹은 Si 일 경우, Ar Plasma Etching을 진행하지 않습니다.

"쇼트가 날 수 있어, 진행하면 안된다."라고는 들었는데, 이해가 잘 되지 않습니다.

 

제가 세운 가설은 Etching된 Metal (혹은 Si) 이 Sheild에 증착되어,

Wafer와 닿을 정도로 성장해 접지가 되어 plasma의 지속이 멈추는 것입니다.

 

교수님, 제가 이해한 것이 맞을까요?

도움 부탁 드립니다.

 

+Plasma type은 ICP(RF)이며, Ar gas로만 plasma 형성합니다.

또한, Quartz Chamber 사용하고 있습니다.

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