안녕하세요 저는 반도체회사에서 Dry Etch 공정 엔지니어로 근무중입니다.

 

Etch Profile을 Control하는 방법들을 연구하고있는데, 그 중에 Wafer내 영역별로 Capacitance 성분을 조절하여 Etch Profile을 Control 해보는 방법을 구상 중에 있습니다.

여기서 궁금한게, Capacitance 성분이 높은 영역은 Sheath Energy가 작아져 Etch 효율이 떨어질 것으로 생각했는데 제 생각이 맞을지 아니면 Capacitance 성분이 높아지면 해당 영역은 전하 축적량이 커져 Vdc값이 음의 방향으로 커져서 Sheath Energy가 커지는것이 맞을까요?

 

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