Sputtering DCMagnetron Sputter에서 (+)전원 인가시
2004.06.25 16:40
질문 ::
DC MAGNETRON SPUTTER에서 T/G쪽에 (-)를 인가하는데
(+)를 인가하면 SPUTTERING이 가능한지요?????
답변 ::
Sputtering은 타겟 표면의 에너지를 인가하여 시편 표면의 원자들이
튀어나옴으로서 가능합니다. 따라서 타겟 표면에 에너지를 효율적으로
전달하기 위해서는 플라즈마 내에서 질량이 큰 입자를 사용하고
이 입자에 에너지를 효율적으로 줄 수 있어야 합니다. 이 조건을
만족하는 것은 이온으로 양전하를 띄고 있어 전기장을 인가함으로서
이온에 에너지를 줄 수 있으며 질량도 큽니다. 따라서 에너지 높은
이온을 이용하려면 타겟에 음전위를 인가해야 할 지 양전위를 인가해야
할가에 대한 답이 나옵니다. 여기서 양전위 혹은 음전위의 기준 전위는
밖에서 정하는 접지 전위가 아닌 플라즈마 전위 혹은 플라즈마 부유 전위가 기준이 됩니다. 참고하세요
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] | 76540 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20076 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57115 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68613 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 91695 |
162 | 타겟 임피던스 값과 균일도 문제 [1] | 399 |
161 | PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [1] | 423 |
160 | remote plasma 를 이용한 SiO2 etching 질문드립니다. [1] | 440 |
159 | Plasma 표면개질에 대해 질문드립니다. [1] | 442 |
158 | AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 | 455 |
157 | PECVD Uniformity [1] | 467 |
156 | magnetic substrate와 플라즈마 거동 [3] | 469 |
155 | 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [1] | 536 |
154 | Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] | 536 |
153 | RF Sputtering Target Issue [2] | 572 |
152 | 기판표면 번개모양 불량발생 [1] | 590 |
151 | ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] | 594 |
150 | 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] | 598 |
149 | Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다. [1] | 633 |
148 | Polymer Temp Etch [1] | 635 |
147 | [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] | 661 |
146 | 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다 [1] | 673 |
145 | center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [1] | 687 |
144 | 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [2] | 689 |
143 | 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] | 692 |