안녕하세요. 교수님

제가 현재 PECVD-CCP장비의 공정 Test를 하던 중

VHF(27M) Power를 점점 늘려감에 따라 Deposition Rate가 감소하는 경향을 보여 문의드립니다.

원인을 찾던 중. 발견한 논문에 따르면 어느정도 증가하다가 2차포물선 그래프를 띄며 Deposition이 감소하는데

이는 초기 증가분은 라디칼을 많이 생성해서 D/R을 상승시키지만 어느정도 증가하게 되면 Ion Bombardment가 커져서 그런 현상이 생긴다고 작성되어 있는데, 이해가 잘 안되서요.

제가 알고 있는 짧은 지식으로는 Power가 커지면 Density가 늘어나면서 Sheath영역이 작아지게 되는것 같은데 아닌가요??

 

Generally, the ion bombardment energy increases witIr"an increase in rf power because the sheath electric field increases as the
square root of the rfpower density.

라고 써있는데, 영문으로 작성된 이 내용이 정말 일반적인 내용인지..제가 이해를 잘 못한건지 궁금합니다.

또한 cathode와 wall 사이에 reactant gases가 고갈된다고 하는데. 너무 논문에서 당연한듯 이야기 해서 이유가 궁금합니다. 

In addition the depletion of reactant gases by the plasma between cathode and reactor wall is also regarded as a factor for the low deposition rate observed at high rf power.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [85] 2296
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 12779
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 49613
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 61085
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 78358
103 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 904
102 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] 904
101 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 964
100 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 1011
99 Ar plasma power/time [1] 1123
98 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1128
97 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1165
96 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 1183
95 etching에 관한 질문입니다. [1] 1257
94 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 1289
93 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 1340
92 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 1344
91 RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] 1394
90 터보펌프 에러관련 [1] 1412
89 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 1425
88 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 1662
87 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 1810
86 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 1832
85 Plasma etcher particle 원인 [1] 1855
84 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 1907

Boards


XE Login