안녕하십니까.

산소양이온이 금속전극을 충돌하면, 산소양이온은 무엇으로 변하는지 궁금합니다.


1) 금속표면바로아래의 전자가 터널링에 의하여 나와서 산소양이온과 결합 하여 산소분자로 환원이 되는지?

  - 산소분자로 환원이 된다면, metastable 상태를 거쳐서 산소분자가 되는지..

2) 전자과 결합하는 과정에서 산소원자들이 생성이 되는지?


자료를 찾을 수가 없어서 문의드립니다.


오늘도 좋은 하루 되세요. 감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [85] 2296
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 12779
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 49613
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 61086
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 78358
103 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 904
102 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] 904
101 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 964
100 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 1011
99 Ar plasma power/time [1] 1123
98 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1128
97 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1165
96 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 1183
95 etching에 관한 질문입니다. [1] 1257
94 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 1289
93 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 1340
92 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 1344
91 RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] 1394
90 터보펌프 에러관련 [1] 1412
89 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 1425
88 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 1662
» 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 1810
86 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 1832
85 Plasma etcher particle 원인 [1] 1855
84 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 1907

Boards


XE Login