Deposition 플라즈마 데미지에 관하여..

2012.09.24 18:00

TFEML 조회 수:6317

안녕하십니까,

저는 한양대학교 신소재공학과에서 석박 생활을 하고 있는 학생입니다.

다름이 아니오라 제가 진행하고 있는 실험에 대하여 소자 특성저하에 여러가지 변수 중

플라즈마 데미지 라는 부분을 확인해 보기 위하여 검색을 하다가 플라즈마 응용연구실 Q&A 를 이용하게 되었습니다.

저는 TFT를 연구하고 있는데, 궁금한점이 있습니다.

Passivation- Free 상태의 TFT 즉 바텀 게이트를 이용하는 TFT의 채널층이 노출된 상태에서

PECVD 를이용하여 40W 100도 공정을 이용하여 약 1시간 정도SiNx 를 Deposition 할 경우

처음에 열려 있는 채널층에 플라즈마 데미지에 의하여 이온이 차지가 된다거나 기타 다른 차지들이 채널층에

데미지를 줄 수 있을까요../?

궁금한 마음이 급하여 두서없이 작성했습니다.

혹 실례가 되지 않는다면 답변 부탁드리겠습니다. 감사합니다.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [182] 75018
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 18860
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 56340
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 66840
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 88302
83 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2667
82 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 2859
81 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 2889
80 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3148
79 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 3210
78 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 3299
77 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3376
76 플라즈마 색 관찰 [1] 3588
75 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 3759
74 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3785
73 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 3822
72 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 4311
71 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 4658
70 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 4684
69 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5142
68 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 5586
67 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 5794
66 O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] 6042
» 플라즈마 데미지에 관하여.. [1] 6317
64 안녕하세요, 질문드립니다. [2] 6527
쓰기
태그

Boards

XE Login