Sputtering DCMagnetron Sputter에서 (+)전원 인가시

2004.06.25 16:40

관리자 조회 수:19710 추천:311

질문 ::

DC MAGNETRON SPUTTER에서 T/G쪽에 (-)를 인가하는데
(+)를 인가하면 SPUTTERING이 가능한지요?????

답변 ::

Sputtering은 타겟 표면의 에너지를 인가하여 시편 표면의 원자들이
튀어나옴으로서 가능합니다. 따라서 타겟 표면에 에너지를 효율적으로
전달하기 위해서는 플라즈마 내에서 질량이 큰 입자를 사용하고
이 입자에 에너지를 효율적으로 줄 수 있어야 합니다. 이 조건을
만족하는 것은 이온으로 양전하를 띄고 있어 전기장을 인가함으로서
이온에 에너지를 줄 수 있으며 질량도 큽니다. 따라서 에너지 높은
이온을 이용하려면 타겟에 음전위를 인가해야 할 지 양전위를 인가해야
할가에 대한 답이 나옵니다. 여기서 양전위 혹은 음전위의 기준 전위는
밖에서 정하는 접지 전위가 아닌 플라즈마 전위 혹은 플라즈마 부유 전위가 기준이 됩니다. 참고하세요

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76661
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20149
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57149
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68669
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92148
82 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3158
81 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3259
80 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3512
79 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 3641
78 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3793
77 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 3887
76 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3961
75 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 4137
74 플라즈마 색 관찰 [1] 4239
73 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4263
72 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5250
71 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5449
70 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5810
69 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6065
68 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6234
67 O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] 6393
66 플라즈마 데미지에 관하여.. [1] 6491
65 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 6536
64 안녕하세요, 질문드립니다. [2] 6569
63 플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [1] 7702

Boards


XE Login