Others wafer 전하 소거: 경험 있습니다.
2004.06.25 16:44
te8500에서 금속재질의 four-pin으로 dechucking을 시키는 경우도 있구요...이것은 쉽구요...back면 acring만 제어해주면 됩니다.
저도 부도체 재질의 four-pin사용시 gas만으로 dechucking이 가능한지 궁금했습니다.
dechucking을 위해서 plasma을 생성시 원하지 않는 etch가 되기때문에 risk가 있습니다.
저희 교수님께 문의한 결과 고압에서 gas flow만으로도 충분히 wafer의 전하를 chamber wall 로 전달할수 있다고 하시던데요...
댓글 0
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [85] | 2298 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 12780 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 49613 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 61088 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] | 78368 |
| 43 | ICP 식각에 대하여... | 16506 |
| 42 | nodule의 형성원인 | 16509 |
| 41 | sputter | 16705 |
| 40 | 플라즈마 처리 | 16753 |
| 39 | [re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문 입니다. | 16970 |
| 38 | 스퍼터링 후 시편표면에 전류가 흘렀던 흔적 | 17240 |
| 37 | 플라즈마 응용분야 | 17659 |
| 36 | 교육 기관 문의 | 17674 |
| 35 | Splash 발생 및 감소 방안은 없는지요? | 17810 |
| 34 | 증착에 대하여... | 17875 |
| 33 | Plasma of Bio-Medical Application | 17901 |
| 32 | sputtering | 18121 |
| 31 | 물리적인 sputterting | 18176 |
| 30 | 플라즈마의 환경이용 | 18567 |
| 29 | 플라즈마를 이용한 박막처리 | 18876 |
| 28 | H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문 입니다. [2] | 19003 |
| 27 | Full Face Erosion 관련 질문 [2] | 19341 |
| 26 | 플라즈마를 이용한 폐기물 처리 | 19537 |
| 25 | DC SPT 문의 | 19560 |
| 24 | DCMagnetron Sputter에서 (+)전원 인가시 | 19572 |