안녕하세요 반도체장비 기업에서 Etch 관련 업무에 종사하는 직장인입니다.

다름이 아니라 입사한지 얼마 안된 신입사원이라 이것 저것 공부를 하고 있는데 궁금증이 몇가지 있습니다.

CCP Type 의 경우는 Plasma의 Density는 높지 않지만 강한 힘으로 이온을 당길 수 있어 반도체의 Metal Contact이나 Trench공정에 사용되지 않습니까? 그리고 Plasma의 Sheath 영역이 Reactor의 내벽과 내부 Part들을 경계로 생긴다고 알고 있고, 전극은 Wafer의 하부에서 Bias Power를 가해 이온을 당기는 것으로 알고 있습니다.

 1. Wafer의 Edge에서 Wafer 주변 Ring 같은 구조물이 없다면 Plasma의 Sheath가 Wafer의 Edge에서 Wafer를 둘러싸게 되고 Wafer의 Edge로 이온의 입사가 집중되어 Wafer Edge의 Etch Rate나 Temp가 변하고 Uniformity가 안좋아지는 것으로 알고 있는데 맞나요??

 2. 만약 1번이 맞다면 아래로 당기는 Bias Power의 방향은 아래로만 향하는데 어째서 Sheath영역이 Wafer를 둘러싸기에 Etch에 불균일이 생기는 건가요?

3. 플라즈마의 균일도 향상을 위해서 Focus Ring이라는 부품이 Plasma의 Sheath가 Wafer면 위에 고루 퍼지게, Edge부분과 Center부분의 균일도를 개선하는 역할을 한다고 알고 있습니다. 이는 그렇다면 Sheath 영역이 변하면서 균일도가 좋아지는 것인가요?

4. 플라즈마에서 Radical과 양이온이 Etch에서 주요한 역할을 한다고 알고 있고 CCP에서는 양이온의 Etch가 큰 영역을 차지한다고 알고 있습니다. 헌데 Radical의 경우엔 어떻게 식각을 하나요? Radical은 전기적으로 중성아닌가요? 중성인데 Bias Power로 인한 E Field에 영향을 받고 움직일 수 있는것인가요???

다소 두서없고 앞뒤가 없는 질문입니다만 막 Plasma 공부를 시작한 초심자이니 넓은 아량으로 답변해주시면 정말 감사하겠습니다.