Etch Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련.

2018.05.10 13:56

박대수 조회 수:2325

안녕하세요. 디스플레이에 종사하는 설비엔지니어입니다.
현재 PE모드 Etch공정에서 Vpp가 평균값 대비 1000V 정도 떨어지는 현상이 있는데요.
NF3 Gas 변경후 챔버 Vent처리했다가 다시 진공상태 공정진행시 Vpp가 떨어집니다.
Power,압력,온도의 차이는 없고, SF6→NF3 Gas변경했는데... Vpp 변동과 어떤 연관성이 있을지 궁금합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76714
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20170
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57164
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68695
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92273
102 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3271
101 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3162
100 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 3052
99 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 2967
98 Plasma etcher particle 원인 [1] 2963
97 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2890
96 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2873
95 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2741
94 PR wafer seasoning [1] 2701
93 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2631
92 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2581
91 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2451
90 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2360
» Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2325
88 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2313
87 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2313
86 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 2305
85 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2260
84 etching에 관한 질문입니다. [1] 2259
83 doping type에 따른 ER 차이 [1] 2049

Boards


XE Login