Etch doping type에 따른 ER 차이
2022.02.22 19:14
안녕하세요.
반도체 식각 산업에 몸담고 있는 이주현입니다.
다름이 아니라 Doping type 별 ER이 달라짐이 확인되어 그 메커니즘에 대한 고견을 얻고자 글을 씁니다.
Gas는 Cl2 N2 base로
Si (non-doping) VS SiGe(non-doping) 에서는
SIGe가 Etch Rate이 더 빨랐는데
Si (p doping/ nmos) VS SiGe(Ga doping / pmos) 에서는
Si (p doping/ nmos) 경우가 Etch Rate이 빨랐습니다.
혹시 도핑만으로 Etch Rate이 바뀔 수 있을까요?
P doping을 하게 되면 전자가 하나 남고 이게 Cl을 더 빠르게 붙도록 유도해서
그 결과 Etch Rate이 더 높은걸까요?
Bonding energy나
Gibbs energy를 찾아보았지만 모든 수치를 확인하지 못해서
결론을 못내리고 있습니다.
추가로 gibbs energy 수치가 plasma etch rate에 영향을 줄까요?
감사합니다.
이주현 드림.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] | 76543 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20078 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57116 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68615 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 91697 |
42 | ICP 후 변색 질문 | 722 |
41 | 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [1] | 718 |
40 | 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] | 692 |
39 | 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [2] | 689 |
38 | center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [1] | 687 |
37 | 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다 [1] | 673 |
36 | [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] | 661 |
35 | Polymer Temp Etch [1] | 635 |
34 | Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다. [1] | 633 |
33 | 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] | 598 |
32 | ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] | 594 |
31 | 기판표면 번개모양 불량발생 [1] | 590 |
30 | RF Sputtering Target Issue [2] | 573 |
29 | 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [1] | 536 |
28 | Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] | 536 |
27 | magnetic substrate와 플라즈마 거동 [3] | 469 |
26 | PECVD Uniformity [1] | 468 |
25 | AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 | 456 |
24 | Plasma 표면개질에 대해 질문드립니다. [1] | 444 |
23 | remote plasma 를 이용한 SiO2 etching 질문드립니다. [1] | 441 |