안녕하세요 Sputter 담당을 맡고 있는 직원입니다.

궁금점에 대해 여쭈어 봅니다

일반 Sputter 장비에는 모두 아래의 공정 parameter들의 data가 남는데 아래 항목의 의미가 무엇인지 궁금합니다.

PM이나 Chamber 분위기가 바뀌면 아래의특성들이 변하는것을 확인했습니다.

일반적으로 Bias(Vpp) Power [V]는 강할수록 Target에 때리는 전자의 가속력이 빨라져 Depo률이 증가하는것을 알수 있습니다.

Forword Power [%]

Reflect Power [W]

Bias(Vpp) Power

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [179] 74891
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 18743
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 56227
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 66698
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 88060
162 플라즈마내에서의 아킹 43299
161 ECR plasma 장비관련 질문입니다. [2] 34743
160 PEALD관련 질문 [1] 31872
159 RF Plasma(PECVD) 관련 질문드립니다. 31276
158 DC Bias Vs Self bias [5] 31011
157 [re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문에 대한 답변 드립니다. file 29500
156 PECVD에서 플라즈마 damage가 발생 조건 29344
155 RF에 대하여... 29089
» [Sputter Forward,Reflect Power] [1] 28609
153 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. 24588
152 OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [1] 24432
151 H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] 24398
150 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 23888
149 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] 23457
148 Arcing 23343
147 Dry Etcher 에 대한 교재 [1] 22427
146 Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] 22420
145 플라즈마 코팅에 관하여 22005
144 펄스바이어스 스퍼터링 답변 21803
143 스퍼터링시 시편두께와 박막두께 [1] 21328

Boards


XE Login