Etch 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화
2018.09.19 13:15
안녕하세요.
궁금한 점이 있어 질문 드립니다.
일반적인 Dry etcher 장비에서 chamber 임피던스가 어떤 영향에 의해 변화 되었다면
그 결과의 공정에도 변화가 있는지요?
임피던스가 크게 변화되었다면 어떤식으로도 표현이 되겠지만,
미세하게 변화된 경우(물론 RF메칭범위 내에는 있겠죠), 공정 결과도 변화가 발생되는지 궁금합니다.
예를 들어주셔도 됩니다.
이상입니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] | 76538 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20076 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57115 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68613 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 91694 |
143 | 스퍼터링 후 시편표면에 전류가 흘렀던 흔적 | 17707 |
142 | 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [1] | 17333 |
141 | [re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문 입니다. | 17190 |
140 | 플라즈마 처리 | 16924 |
139 | ICP 식각에 대하여... | 16904 |
138 | sputter | 16840 |
137 | nodule의 형성원인 | 16743 |
136 | 몇가지 질문있습니다 | 16577 |
135 | Sputter | 15866 |
134 | Ar fraction에 따른 Plasma 특성 질문입니다. [1] | 15789 |
133 | PMMA(폴리메틸메타크릴레이트)의 표면개질에 관해 [1] | 15638 |
132 | 박막 형성 | 15296 |
131 | 산업용 플라즈마 내에서 particle의 형성 | 15052 |
130 | 플라즈마 절단기에서 발생 플라즈마 | 14730 |
129 | ICP와 CCP의 차이 [3] | 12431 |
128 | N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다. [1] | 11292 |
127 | 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [1] | 10280 |
126 | 에칭후 particle에서 발생하는 현상 | 9496 |
125 | 공기정화기, 표면개질, PDP. 플라즈마응용 | 9259 |
124 | Ar Gas 량에 따른 Deposition Rate 변화 [1] | 8558 |
당연합니다. 챔버 임피던스의 정의가 서로 다를 수 있겠지만, 운전 중에 측정된 chamber impedance라면 당연히 chamber 내의 plasma 정보를 포함할 수 밖에 없고, 그 변화가 유발되었다는 것입니다. 물론 chamber의 열화 및 노후화로 인한 변화도 포함될 수 있겠지만, 그 어떤 경우라도 chamber impedance의 변화는 coupling power의 변화로 부터 야기된 공정 변화, 혹은 공정 드리프트의 진단 인자가 될 수 있습니다. 하지만 이를 FDC로 쓰기 위해서는 면밀한 해석이 필요하겠지요. 중요한 공정진단 기술을 확보하셨습니다. 실용 기술로 잘 발전시켜 보시기 바랍니다.