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공지 |
[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
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공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [Bias power]
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플라즈마 균일도에 대해서 질문드립니다. [플라즈마 밀도와 중성 가스의 균일도]
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고온 플라즈마 관련
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플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [RRC 연구센터 문의]
[1] | 8024 |
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SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [ER과 energy transport]
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RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [물리적/화학적 세정]
[4] | 7223 |
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O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154
[1] | 7068 |
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플라즈마 데미지에 관하여.. [Charge의 축적과 damage]
[1] | 6855 |
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안녕하세요, 질문드립니다. [플라즈마 토치와 환경처리]
[2] | 6839 |
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모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의
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SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [반응성 기체 생성]
[1] | 6442 |
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DRAM과 NAND 에칭 공정의 차이 ["플라즈마 식각 기술"]
[1] | 6075 |
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Plasma 표면 개질에 대해 질문드립니다. [O2 플라즈마와 Ar 플라즈마]
[1] | 5310 |
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플라즈마 식각 공정 중 폴리머의 거동 [재료 표면 반응]
[1] | 5166 |
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플라즈마 색 관찰 [플라즈마 빛과 OES신호]
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Dry Etching Uniformity 개선 방법 [장치 구조에 따른 공간 분포]
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HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [Sputtering 및 particle issue]
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플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [Self bias와 RIE]
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SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [세정 시간 및 식각 효율]
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PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [하전에 의한 전기장 형성 및 방전 시간]
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