안녕하세요, 의료기기 회사에 재직중인 회사원입니다.

 

최근 사내 내부학습 개념으로 패럴린과 같은 고분자화합물 과 플라즈마 표면처리, 에칭 등의 공부를 하고 있습니다.

스스로나 주변에도 해당 지식이 없는 사람들 뿐이라 인터넷으로 겨우겨우 찾아보며 알아가는 실정입니다.

 

질문드리고자 하는 내용은 에칭과 표면처리에 대한 차이점 입니다.

 

먼저 제가 이해하고 있기로는

표면처리는 보드기판이나 어떠한 물질에 고분자화합물을 코팅하게 되면 증착이 잘 되지 않으므로

플라즈마를 이용해 표면처리(활성화) 를 한 뒤 코팅을 하여 증착력을 높히는 것 과

에칭은 증착된 코팅물질을 없애는 방법 이라고 이해 했습니다.

 

헌데 표면처리 라는 것도 보드의 표면에 있는 이물질이나 원자? 등을 제거하는 것이라고도 생각이 되는데

그렇다면 표면처리를 오래 한다거나 강하게 하면 그것이 에칭이 되는것인가요?

표면처리에 사용되는 제품은 에칭으로는 사용을 못하는 것인가요?

 

질문의 수준이 매우 낮을지도 모르겠네요... 이해 부탁드립니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76538
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
102 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3188
101 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3144
100 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 3043
99 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 2933
98 Plasma etcher particle 원인 [1] 2923
97 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2879
96 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2849
95 PR wafer seasoning [1] 2694
94 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2662
93 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2602
92 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2571
91 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2386
90 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2357
89 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2295
88 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2294
87 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2246
86 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 2243
85 etching에 관한 질문입니다. [1] 2243
84 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2228
83 doping type에 따른 ER 차이 [1] 2038

Boards


XE Login