안녕하세요? 반도체 회사 연구원입니다.

 

반도체 Etching 공정관련 한 가지 궁금한 사항 문의드리고자 질문올립니다.

 

Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring 소재의 유전율과 체적저항이 챔버 내 Plasma 형성에 영향을 미치는지 궁금합니다.

(최근에는 CVD SiC Ring을 많이 활용하고 있습니다.)

 

예를들어, 유전상수와 체적저항이 ~할수록 Plasma가 생정되는 정도와 분포가 어떤식으로 변화할까요?

 

조금은 포괄적인 질문이라 답변이 어려울수도있겠습니다.

 

감사합니다. 교수님.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [295] 77443
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20550
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57476
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69002
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93063
107 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3437
106 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3217
105 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 3113
104 Plasma etcher particle 원인 [1] 3099
103 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 3093
» [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2981
101 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2965
100 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2921
99 PR wafer seasoning [1] 2726
98 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2714
97 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2611
96 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2601
95 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2422
94 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 2407
93 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2377
92 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2376
91 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2369
90 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2367
89 etching에 관한 질문입니다. [1] 2331
88 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 2232

Boards


XE Login