Deposition 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다.
2019.05.22 16:11
안녕하세요. 반도체 회사에 근무중인 회사원 입니다.
다름이 아니고 PECVD로 박막 증착 시 Radical들의 움직임에 관해 궁금한 점이 있어서 글을 올립니다.
Radical이 Wafer위에서 migration후 반응하여 island를 만들고 그 섬들이 성장하여 박막을 형성하는 것으로 알고 있는데
Radical이 가지는 에너지, 기판의 온도, 기판을 이루는 물질과의 결합에너지 등을 통해 Radical이 기판위에서
평균적으로 얼마나 움직이는지, 어느 위치를 안정적인 site로 인식하고 반응하는지 등을 알 수 있을까요?
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76726 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20181 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57167 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68697 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92276 |
82 | Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] | 2009 |
81 | 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] | 1984 |
80 | 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] | 1982 |
79 | 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] | 1934 |
78 | RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] | 1863 |
77 | PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] | 1846 |
76 | wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] | 1793 |
75 | 터보펌프 에러관련 [1] | 1756 |
74 | CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] | 1729 |
73 | Pecvd 장비 공정 질문 [1] | 1660 |
72 | PECVD 증착에서 etching 관계 [1] | 1498 |
71 | Ar plasma power/time [1] | 1436 |
70 | Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] | 1425 |
69 | poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. | 1408 |
68 | 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] | 1385 |
67 | Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] | 1376 |
66 | Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] | 1375 |
65 | 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] | 1308 |
64 | [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] | 1294 |
63 | Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] | 1243 |
제가 이 분야에 문외한이어서, 서울대학교 재료공학과의 황농문 교수님 혹은 성균과대학교 기계공학부의 김태성 교수님에게 문의드려 보시면 좋은 답변을 얻으실 수 있을 것 같습니다.