안녕하세요.

저는 Etch 장비를 개발하는 설계 엔지니어 입니다.

궁금한게 있어 문의 드립니다.

열은 기본적으로 높은데서 낮은데로 이동한다고 알고 있습니다.

예를 들어  Vacuum Chamber(Etching) 내에서 Chamber의 Top면을 100도로 히팅하고 Side쪽을 80도로 히팅하고 

Wafer를 Chucking하는 ESC를 50도로 히팅한다고 하면  열의 이동이 top -> side -> esc로 이동을 합니다.

(단, 여기서 Pump는 Close라고 가정합니다.)

그러면 Etching하고 난 Byproduct의 이동도 열의 이동과 같은 방향으로 움직일까요?

혹시 맞다면 어떤 이유로 그렇게 되는지 설명을 부탁드립니다.

제가 이부분에 대해 좀 더 공부하고 싶은데 어느 부분을 공부해야 하는지 조언 부탁드릴께요.

감사합니다.




번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [113] 4973
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16325
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51258
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 63783
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 83590
47 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] 1179
46 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 1092
45 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1057
44 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1037
43 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 1034
42 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1025
41 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 1014
40 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] 977
39 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 957
38 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 940
37 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 845
36 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 837
35 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 833
34 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 807
33 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 802
32 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] 793
31 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 755
30 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 725
» Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 636
28 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 625

Boards


XE Login