Deposition 플라즈마를 이용한 박막처리

2004.06.19 16:29

관리자 조회 수:19465 추천:293

  플라즈마를 이용한 박막처리는 오랜 역사를 갖고 있으며 실로 광범위하게 이용되고 있습니다. 특히 최근에는 환경 친화적이며 미세 구조처리가 가능하여 매우 각광을 받고 있습니다. 구체적으로 플라즈마 박막공정은 플라즈마 환경하에서 물질의 표면에 얇은 막을 쒸우는 것을 의미합니다. 반응기에 기체 및 박막 물질을 주입하고 이온화를 시켜서 플라즈마를 발생합니다. 따라서 반응기 내에는 많은 수의 이온과 전자들로 구성되어 있는 플라즈마와 미처 이온화가 일어나지 않은 중성 기체와 박막 입자들이 존재하게 됩니다. 박막 입자들이 처리 대상 표면에 침착하여 박막을 형성하게 되는데 이들 입자들의 활성화에 플라즈마 이온들이 사용되게 됩니다. 이런 과정을 거쳐서 박막이 형성되므로 플라즈마 성질을 잘 이용하면 박막의 특성도 향상되게 됩니다.

  물질 표면에 박막처리를 함으로써 물방울 형성을 제어하거나 향상시킬 수도 있습니다. 예를 들어 폴리머 계열은 물이 잘 맺히는데 만일 산소 플라즈마 처리를 하면 맺힌 물방울이 풀어지게 됩니다. 따라서 처리된 물질의 표면에는 물방울이 맺히지 않고 넓게 퍼지게 됩니다. 빛은 물방울을 통과하면서 난반사를 함으로 유리등의 표면에 물방울이 맺히게 되면 시야가 나빠지게 됩니다.
이렇게 물이 물질의 표면에서 물방울을 만드는 정도를 친수성과 소수성으로 표현하게 되는데, 물질표면의 친수성과 소수성의 향상을 위한 플라즈마 처리는 박막이용의 한 예에 불과합니다. 현재 KIST의 한승희 박사님 연구실에서 PSII를 통해 이러한 연구를 진행중입니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76660
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20149
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57149
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68669
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92148
62 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 1179
61 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 1173
60 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] 1156
59 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1152
58 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1138
57 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 1117
56 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] 1106
55 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] 1096
54 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 1086
53 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 1068
52 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 1055
51 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 1046
50 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 989
49 Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] 976
48 O2 Asher o-ring 문의드립니다. [1] 883
47 플라즈마 세정 장비 (CCP구조)에서 자재 로딩 수에 따른 플라즈마 효과 및 Discolor [1] file 874
46 플라즈마 이용 metal residue 제거방법 문의드립니다. [1] 866
45 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 841
44 안녕하세요 OLED 증착 시 궁금한점이있어 문의드립니다 [2] 751
43 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [1] 733

Boards


XE Login