Skip to content
플홈
오시는 길
누구
질문방
검색
전체
Plasma in general
DC glow discharge
Collision
Sheath
Ion/Electron Temperature
Others
Plasma Source
ATM Plasma
CCP
ICP
Remote Plasma
Water Discharge Plasma
Others
Chamber component
Matcher
ESC
Pulse operation
Shower head
Chamber Impedance
Others
Monitoring Method
OES
Langmuir Probe
VI(Impedance) Sensor
B dot
Others
Process
Etch
Deposition
Sputtering
Ashing
Others
Etch
Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate
2020.07.09 13:00
도리
조회 수:2252
안녕하세요 교수님
Etch시 센터와 사이드 etch rate이 다를 경우 어떤 공정 파라미터를 조절해야 하나요?
댓글
1
목록
번호
제목
조회 수
공지
[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
[266]
76672
공지
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
20149
공지
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
57149
공지
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
68669
공지
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
[3]
92171
67
DC Bias Vs Self bias
[5]
31521
66
Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제
24171
65
N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요
[2]
23754
64
Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계
[1]
22757
63
Dry Etcher 에 대한 교재
[1]
22538
62
RIE장비 에서 WALL 과 TOP 온도
20417
61
안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다.
[1]
17426
60
ICP 식각에 대하여...
16912
59
ICP와 CCP의 차이
[3]
12471
58
에칭후 particle에서 발생하는 현상
9504
57
안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다.
[1]
6539
56
RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이
[4]
6235
55
SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유
[1]
5818
54
DRAM과 NAND에칭 공정의 차이
[1]
5449
53
SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다.
[1]
5250
52
Dry Etching Uniformity 개선 방법
[2]
4263
51
Plasma 식각 test 관련 문의
[1]
3961
50
Plasma Etch시 Wafer Edge 영향
[1]
3514
49
Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다.
[1]
2961
48
Plasma etcher particle 원인
[1]
2958
Boards
Close Login Layer
XE Login
아이디
비밀번호
로그인 유지
회원가입
ID/PW 찾기
인증메일 재발송
Close Login Layer