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[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
[268]
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공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
| 20172 |
공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
| 57164 |
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kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다.
[1] | 2313 |
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챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화
[1] | 1183 |
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RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다.
[1] | 842 |
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etching에 관한 질문입니다.
[1] | 2259 |
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DRAM과 NAND에칭 공정의 차이
[1] | 5453 |
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Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련.
[1] | 2325 |
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PR wafer seasoning
[1] | 2701 |
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wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상
[1] | 1793 |
19 |
Plasma etcher particle 원인
[1] | 2963 |
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SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유
[1] | 5836 |
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안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다.
| 1141 |
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ICP와 CCP의 차이
[3] | 12482 |
15 |
RIE에 관한 질문이 있습니다.
[1] | 2631 |
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Plasma Etch시 Wafer Edge 영향
[1] | 3526 |
13 |
RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이
[4] | 6246 |
12 |
poly식각을 위한 조언 부탁드립니다.
| 1408 |
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SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다.
[1] | 5265 |
10 |
안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다.
[1] | 17442 |
9 |
Dry Etching Uniformity 개선 방법
[2] | 4269 |
8 |
N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요
[2] | 23758 |