안녕하세요 교수님~

현재 연구실에서 플라즈마 에칭 장비에 대해 공부하고 있는 학생입니다.

다름이 아니라 이제까지 소형 챔버에서 에칭 실험을 진행하다가 대형 챔버로 바꾸어 실험하면서 궁금한 점이 생겨 질문드립니다.

1. 같은 압력에서 (예: 10mTorr) 유량 (sccm)만 바꿔가며 실험하고 있는데 이것이 어떤 관계가 있는지 궁금합니다.

2. 소형챔버에서 발견한 유량을 대형챔버로 그대로 옮겨버리면 residence time이 확줄어서 더 많은 sccm을 넣어야한다는데 

   PV/유량 = residence time 이라는 식에서 바라본다면 V가 증가하여 오히려 증가하는거 아닌가 궁금합니다.

번호 제목 조회 수
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 217
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 48923
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 56113
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [1] 63532
39 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 318
38 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 252
37 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 380
36 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 460
35 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 371
34 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 430
33 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 1070
32 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 936
» 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 581
30 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 1337
29 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 1075
28 터보펌프 에러관련 [1] 1224
27 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 777
26 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 758
25 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 469
24 etching에 관한 질문입니다. [1] 888
23 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 4209
22 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 1362
21 PR wafer seasoning [1] 2204
20 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 919

Boards


XE Login