안녕하세요 교수님~

현재 연구실에서 플라즈마 에칭 장비에 대해 공부하고 있는 학생입니다.

다름이 아니라 이제까지 소형 챔버에서 에칭 실험을 진행하다가 대형 챔버로 바꾸어 실험하면서 궁금한 점이 생겨 질문드립니다.

1. 같은 압력에서 (예: 10mTorr) 유량 (sccm)만 바꿔가며 실험하고 있는데 이것이 어떤 관계가 있는지 궁금합니다.

2. 소형챔버에서 발견한 유량을 대형챔버로 그대로 옮겨버리면 residence time이 확줄어서 더 많은 sccm을 넣어야한다는데 

   PV/유량 = residence time 이라는 식에서 바라본다면 V가 증가하여 오히려 증가하는거 아닌가 궁금합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76714
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20170
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57164
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68696
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92273
47 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 604
46 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 1056
45 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 1056
44 doping type에 따른 ER 차이 [1] 2049
43 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 2009
42 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3964
41 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 1307
40 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2742
39 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1156
38 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 1120
37 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2451
36 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2260
35 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 1376
34 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 1242
33 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 6568
32 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 2967
» 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 1933
30 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2873
29 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 1981
28 터보펌프 에러관련 [1] 1756

Boards


XE Login