안녕하세요.

 

반도체 식각 산업에 몸담고 있는 이주현입니다.

 

 

다름이 아니라 Doping type 별 ER이 달라짐이 확인되어 그 메커니즘에 대한 고견을 얻고자 글을 씁니다.

 

 

Gas는 Cl2 N2 base로

 

Si (non-doping) VS SiGe(non-doping) 에서는 

SIGe가 Etch Rate이 더 빨랐는데

 

Si (p doping/ nmos) VS SiGe(Ga doping / pmos) 에서는 

Si (p doping/ nmos) 경우가 Etch Rate이 빨랐습니다.

 

혹시 도핑만으로 Etch Rate이 바뀔 수 있을까요?

 

P doping을 하게 되면 전자가 하나 남고 이게 Cl을 더 빠르게 붙도록 유도해서 

그 결과 Etch Rate이 더 높은걸까요?

 

Bonding energy나

Gibbs energy를 찾아보았지만 모든 수치를 확인하지 못해서

결론을 못내리고 있습니다.

 

 

추가로 gibbs energy 수치가 plasma etch rate에 영향을 줄까요?

 

 

감사합니다.

 

이주현 드림. 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [313] 79245
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21263
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58064
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69622
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 94410
55 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메커니즘에 대해 질문하고 싶습니다. [플라즈마-화학-표면 반응 모델] [1] 451
54 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [RF 접지 및 체결, 결합부분 교체] [1] 731
53 SI 표면에 Ar Plasma Etching 하면 안되는 이유 [표면 전처리] [1] 1305
52 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [Plasma Cleaning] [1] 441
51 sticking coefficient 관련 질문입니다. [HAR, LF bias] [1] 1141
50 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time [TVP(Thorottle Valve Position)] [1] file 695
49 Polymer Temp Etch [이온 입사 에너지] [1] 820
48 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 611
47 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [Self bias와 RIE] [1] 656
46 etch defect 관련 질문드립니다 [Plasma distribution] [1] 1264
45 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [Self bias] [1] 1182
» doping type에 따른 ER 차이 [MD 시뮬레이션 연구] [1] 2250
43 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [Polymer coating 식각] [1] 2440
42 Plasma 식각 test 관련 문의 [플라즈마 데이터 처리] [1] 4066
41 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [표면 화학 반응] [1] 1605
40 Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련 [Sheath 전위 형성] [3] 3191
39 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1242
38 Vacuum chamber(Etching)내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계 [Plasma bulk Temp와 wall Temp] [2] 1220
37 [RIE] reactice, non-reactice ion의 역할 [Dissociation과 Ar plasma] [1] 2762
36 Dry etch 할 때 센터와 사이드 etch rate [Plasma diffusion과 distribution] [1] 2486

Boards


XE Login