상세한 답변 정말 감사합니다!! 추가 질문이 있습니다. 
1. 현업에서 스크레치와 같은 defect들은 대부분 edge에서 일어난다고 알고있습니다. 그렇다면 etch 공정 기술 엔지니어로서, edge의 수율을 높이는 방법에는 무엇이 있을까요? 

저는 이 방법을 center to edge 균일도 제어로 생각해서 위와 같은 질문을 드렸는데, 여기서는 추가 부품을 사용하는 방법을 써야하므로 공정 레시피 측면에서 제어할 요소가 적다고 말씀하셔서 추가 질문 드립니다! 

2. 양산 수율 달성 측면에서, 높은 aspect ratio로 인한 문제가 핵심인 것이 맞나요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [233] 75734
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 19418
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 56647
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 67965
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 90140
» center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2 222
63 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [1] 384
62 RIE Gas 질문 하나 드려도될까요? [1] 173
61 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] 191
60 remote plasma 를 이용한 SiO2 etching 질문드립니다. [1] 227
59 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 127
58 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [1] 273
57 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] 554
56 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] 157
55 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] 272
54 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 463
53 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 721
52 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] 272
51 Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] 794
50 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] file 455
49 Polymer Temp Etch [1] 544
48 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 350
47 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 554
46 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 885
45 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 934

Boards


XE Login