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[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
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Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메커니즘에 대해 질문하고 싶습니다. [플라즈마-화학-표면 반응 모델]
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ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [RF 접지 및 체결, 결합부분 교체]
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SI 표면에 Ar Plasma Etching 하면 안되는 이유 [표면 전처리]
[1] | 1382 |
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텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [Plasma Cleaning]
[1] | 485 |
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sticking coefficient 관련 질문입니다. [HAR, LF bias]
[1] | 1208 |
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Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time [TVP(Thorottle Valve Position)]
[1] | 759 |
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Polymer Temp Etch [이온 입사 에너지]
[1] | 905 |
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AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제
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플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [Self bias와 RIE]
[1] | 718 |
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etch defect 관련 질문드립니다 [Plasma distribution]
[1] | 1325 |
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RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [Self bias]
[1] | 1244 |
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doping type에 따른 ER 차이 [MD 시뮬레이션 연구]
[1] | 2311 |
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Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [Polymer coating 식각]
[1] | 2563 |
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Plasma 식각 test 관련 문의 [플라즈마 데이터 처리]
[1] | 4134 |
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텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [표면 화학 반응]
[1] | 1679 |
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Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련 [Sheath 전위 형성]
[3] | 3321 |
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O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의
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Vacuum chamber(Etching)내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계 [Plasma bulk Temp와 wall Temp]
[2] | 1274 |
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[RIE] reactice, non-reactice ion의 역할 [Dissociation과 Ar plasma]
[1] | 2842 |
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Dry etch 할 때 센터와 사이드 etch rate [Plasma diffusion과 distribution]
[1] | 2554 |