안녕하세요. 전남대학교 정세훈이라고 합니다.
몇가지 궁금한점이 있어 질문드립니다

a)       the typical energy of sputtered Cu atoms if the Ar ion has an energy of 500 eV.

b)       the typical energy of sputtered Cu atoms if the Ar ion has an energy of 5000 eV

Cu원자의 에너지값이 어떻게되나요? 여러논문을 검색해보았는데
thompson distribution E/(E+Eb) 에 대해서는 나오는데.. 계산이 잘 안돼서요..
--------------------
위의 질문에 대한 참고 자료를 군산대학교 주정훈교수님께서 올려 주셨습니다. 그림과 같이 Kr 입자 조사에 의한 스퍼터링된 Cu의 에너지 및 이탈 속도 함수를 보여주고 있습니다. Ar과 조사 입자의 질량 차이가 있을 뿐 이를 고려한다면 거의 현상은 유사할 것으로 판단됩니다. 이 자료는 교재에 있다고 하니 참고하시기 바랍니다. 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [316] 82004
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21855
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58635
» kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 70262
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 95951
55 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time [TVP(Thorottle Valve Position)] [1] file 737
54 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [RF 접지 및 체결, 결합부분 교체] [1] 775
53 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [플라즈마 식각기술] [1] 782
52 remote plasma를 이용한 SiO2 ethching 질문드립니다. [식각률 self limit과 쉬스 에너지 변화] [1] 841
51 Polymer Temp Etch [이온 입사 에너지] [1] 883
50 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해보고 싶습니다. [플라즈마 가속 전자의 충돌 반응] [1] 951
49 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [CCP 균일도, CCP edge] [1] 1057
48 sticking coefficient 관련 질문입니다. [HAR, LF bias] [1] 1182
47 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1204
46 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [Self bias] [1] 1225
45 Vacuum chamber(Etching)내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계 [Plasma bulk Temp와 wall Temp] [2] 1255
44 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1260
43 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [Chamber impedance와 공정 드리프트 진단 인자] [1] 1304
42 etch defect 관련 질문드립니다 [Plasma distribution] [1] 1308
41 SI 표면에 Ar Plasma Etching 하면 안되는 이유 [표면 전처리] [1] 1354
40 Plasma etch 관련 질문이 드립니다. [Sheath와 uniformity] [1] 1400
39 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1506
38 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [Matcher와 dynamic impedance] [1] 1552
37 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [표면 화학 반응] [1] 1650
36 터보펌프 에러관련 [터보 펌프 구동 압력] [1] 1871

Boards


XE Login