안녕하십니까. 장비사에서 식각 공정 개발 업무를 맡고 있는 김노엘 입니다.

 

공부하던 중, ESC 온도 증가에 따른 Sticking coefficient 관련 궁금한 점이 생겨 질문을 남기게 되었습니다.

 

보통 HAR 구조 식각 시 Sticky한 성질을 갖고 있는 gas가 bottom 으로 들어가지 못하고 top 에 쌓여 식각 profile이 불균일해지는 문제가 있음을 알게 되었습니다. 이에 대한 해결책은 ESC 온도를 증가시키는 것이었고 gas가 덜 Sticky해져 profile이 개선됨을 확인할 수 있었습니다.

 

여기서 궁금한 점이 있습니다.

 

Q) 본래 기체는 온도 증가에 따라 점성이 증가한다고 알고 있습니다. 식각공정의 경우 ESC 온도를 증가시키면 wafer에 열전달이 일어날 것이고 그 열이 기체에 전달된다면 기체의 점성이 증가해 오히려 더욱 sticky 해 질것으로 생각됩니다만, 오히려 ESC 온도 증가에 따라 gas가 덜 sticky해 진다고 하니 이해가 어렵습니다. 제가 잘못 생각한 부분이 있는 거 같은데 정확한 메커니즘에 대해 설명을 듣고 싶습니다.

--------

 

Q) 추가적으로 RF frequency에 따른 ion과 electrom의 거동에 대한 질문이 있습니다. CCP 구조의 식각 chamber의 경우 bias electrode 쪽에 low frequncy(LF)와 high frequncy(HF)의 RF generator를 사용한다고 알고 있습니다. 이때, LF의 용도가 궁금합니다. ion을 더 강하게 당기는 역할을 한다고 알고 있는데,, 각 frequncy에 따른 ion의 움직임을 어떤 plasma theory로 해석해서 생각할 수 있는지 궁금합니다.

 

타 산업에 종사하다 플라즈마를 다루는 공정개발 업무를 하게 되어 어려운 부분이 많습니다. 교수님께서 만들어 주신 본 홈페이지 덕분에 많이 배우고 공부하고 있습니다. 정말 감사합니다.

 

김노엘 드림.

 

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [317] 83115
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 22047
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58812
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 70465
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 96529
55 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time [TVP(Thorottle Valve Position)] [1] file 754
54 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [RF 접지 및 체결, 결합부분 교체] [1] 788
53 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [플라즈마 식각기술] [1] 792
52 remote plasma를 이용한 SiO2 ethching 질문드립니다. [식각률 self limit과 쉬스 에너지 변화] [1] 855
51 Polymer Temp Etch [이온 입사 에너지] [1] 898
50 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해보고 싶습니다. [플라즈마 가속 전자의 충돌 반응] [1] 972
49 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [CCP 균일도, CCP edge] [1] 1073
» sticking coefficient 관련 질문입니다. [HAR, LF bias] [1] 1203
47 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1210
46 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [Self bias] [1] 1240
45 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1265
44 Vacuum chamber(Etching)내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계 [Plasma bulk Temp와 wall Temp] [2] 1271
43 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [Chamber impedance와 공정 드리프트 진단 인자] [1] 1311
42 etch defect 관련 질문드립니다 [Plasma distribution] [1] 1320
41 SI 표면에 Ar Plasma Etching 하면 안되는 이유 [표면 전처리] [1] 1374
40 Plasma etch 관련 질문이 드립니다. [Sheath와 uniformity] [1] 1416
39 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1513
38 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [Matcher와 dynamic impedance] [1] 1564
37 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [표면 화학 반응] [1] 1673
36 터보펌프 에러관련 [터보 펌프 구동 압력] [1] 1884

Boards


XE Login