안녕하십니까

저는 DRY Etch 하부 정전척(ESC) 세정/재생 업체에 다니고 있는 최균호 라고 합니다.

고객사에 납품하여 Run중인 ESC에서 He Flow라는 알람이 자주 발생하여 문의 드립니다.

상부 Glass면과 ESC 사이에 Cooling을 위한 He Gas를 공급하는데

공급 과정 중 He Pressure의 이상이 있을 때 발생하는 것이 He Alaram 입니다.

He Flow 발생품 입고 검사 시 Glass를 안착시키는 Dam부 및 Cooling 면의 외관적인 문제점은 존재 하지 않고

전기적인 특성조차 큰 특이점을 찾아 볼 수 없습니다.

고객사 측에서도 뚜렷한 원인은 알 수 없다고 하네요.

 

Cooling Gas Flow (Gas Leak) 발생 원인이 대체로 무엇인지, 그에 따른 해결 방안을 가지고 계신다면

알려 주실 수 있을까요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [330] 102014
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24527
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61173
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73217
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105412
56 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [Flow rate와 moral ratio, resident time] [1] 3688
55 Plasma etcher particle 원인 [Particle issue와 wafer의 sheath] [1] 3554
54 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 3201
53 [RIE] reactice, non-reactice ion의 역할 [Dissociation과 Ar plasma] [1] 3163
52 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [Polymer coating 식각] [1] 3079
51 RIE에 관한 질문이 있습니다. [Sheath 이온 거동 및 bias power] [1] 3074
50 PR wafer seasoning [Particle balance, seasoning] [1] 2908
» DRY Etcher Alarm : He Flow 관점 문의 드립니다. [O ring 결합부 근처 leak detect] [1] 2876
48 Dry etch 할 때 센터와 사이드 etch rate [Plasma diffusion과 distribution] [1] 2789
47 doping type에 따른 ER 차이 [MD 시뮬레이션 연구] [1] 2766
46 Etch 공정(PE mode) Vpp 변동 관련. [Self bias 형성 과정과 전자의 에너지] [1] 2716
45 etching에 관한 질문입니다. [충돌 현상 및 이온화 과정] [1] 2674
44 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [MFC와 residence time] [1] 2555
43 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [소자 식각 데미지] [1] 2497
42 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [ER과 self bias] [1] 2249
41 터보펌프 에러관련 [터보 펌프 구동 압력] [1] 2043
40 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [표면 화학 반응] [1] 2000
39 Plasma etch 관련 질문이 드립니다. [Sheath와 uniformity] [1] 1817
38 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [Matcher와 dynamic impedance] [1] 1764
37 SI 표면에 Ar Plasma Etching 하면 안되는 이유 [표면 전처리] [1] 1757

Boards


XE Login