안녕하세요. 플라즈마응용연구실 관라자입니다.

 

금일부터 QnA 글을 작성하기 위해 등업제도를 일부 이용합니다.

 

해당 공지 게시글에 가입 인사를 적어주시면 QnA 글을 쓸 수 있는 권한을 받게 됩니다.

(*별도의 권한 처리 없이 댓글 등록시 바로 QnA 작성이 가능해집니다.)

 

글 작성 전에 반드시 댓글을 남겨주시고 QnA 글을 작성해주시기 바랍니다.

 

감사합니다.

 

** 기존에 글을 작성하셨던 분들도 권한 처리가 필요하므로 간단하게라도 댓글 부탁드립니다.

번호 제목 조회 수
» [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76538
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
27 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2246
26 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2295
25 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2386
24 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2602
23 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2662
22 PR wafer seasoning [1] 2694
21 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2849
20 Plasma etcher particle 원인 [1] 2923
19 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 2933
18 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3490
17 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3949
16 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4239
15 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5181
14 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5417
13 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5732
12 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6200
11 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 6378
10 에칭후 particle에서 발생하는 현상 9497
9 ICP와 CCP의 차이 [3] 12432
8 ICP 식각에 대하여... 16904

Boards


XE Login