Etch Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate
2020.07.09 13:00
안녕하세요 교수님
Etch시 센터와 사이드 etch rate이 다를 경우 어떤 공정 파라미터를 조절해야 하나요?
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [103] | 3678 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 15366 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 50582 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 63012 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] | 82207 |
48 |
AlCu Etch시 Dust 잔존 문제
![]() | 1 |
47 | doping type에 따른 ER 차이 [1] | 233 |
46 | 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] | 303 |
45 | etch defect 관련 질문드립니다 [1] | 336 |
44 | Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] | 354 |
43 | RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] | 367 |
42 | 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] | 381 |
41 | Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] | 594 |
40 | RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] | 611 |
39 |
O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의
![]() | 703 |
38 | Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] | 758 |
37 | 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. | 770 |
36 | Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] | 779 |
35 | [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] | 893 |
34 | 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] | 913 |
33 | [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] | 923 |
32 | 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] | 1016 |
» | Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] | 1142 |
30 | wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] | 1192 |
29 |
poly식각을 위한 조언 부탁드립니다.
![]() | 1210 |