Etch Plasma Etch시 Wafer Edge 영향

2017.05.15 22:58

최원우 조회 수:3490

안녕하십니까 현재 Plasma Etch 업계에 종사하고있는 사원 입니다.

Plasma Etch시 Etch Rate가 Wafer Edge(주로 140mm이상)에 굉장히 민감한데

이 현상에 대한 해석을 어떻게 해야 좋을 지 모르겠습니다.

민감하다는 표현은 조건 튜닝시 Center나 Edge나 증가하거나 감소하는 현상은 동일하나

ER Map 전체를 봤을 때 Edge에 의해서 U자형(Edge Fast)이 되거나 그 반대 (Edge Low)가 되는 현상이 나타납니다.

Chamber Wall에 의한 현상으로 보기에는 Wafer 극 Edge 쪽만 해당되기에 아닐 것으로 예상합니다.

이 현상에 대한 해석이나 참고문헌등 도움이 될만한 자료를 알려주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76539
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
47 Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] 951
46 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 965
45 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 1026
44 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 1045
43 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 1107
42 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1133
41 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1146
40 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 1173
39 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 1234
38 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 1267
37 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 1365
36 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1399
35 터보펌프 에러관련 [1] 1737
34 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1770
33 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 1878
32 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 1893
31 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 1946
30 doping type에 따른 ER 차이 [1] 2038
29 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2228
28 etching에 관한 질문입니다. [1] 2243

Boards


XE Login