Etch etching에 관한 질문입니다. [충돌 현상 및 이온화 과정]

2018.08.14 14:59

juhyok 조회 수:2406

안녕하세요. 반도체취업을 준비하고있는 취준생입니다. 실험도중 궁금증이 생겨 질문드립니다.

가스의 유량을 달리하여 etch rate를 비교하기 위한 실험을 했습니다.

 

ethcant gas인 ch4는 고정시키고

Ar가스를 30sccm 그리고 60sccm 이렇게 두가지 실험을 하였습니다.

 

질문1. 60sccm이 더 깊게 에칭되는것을 기대하였는데 오히려 덜 에칭되었습니다. 이유가 무엇인가요?

질문2. Ar가스 유량을 늘리는것이 etch속도가 빨라지는것은 맞나요?

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