안녕하세요. 반도체 장비업체에서 근무하는 권보경입니다.


icp descum 장비에서 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상이 발생합니다.

Etch Rate이 감소하는 것은 있을 수 있는 일이지만 50% 이하로 나빠진 상태입니다.

어떤 변수들이 있을 수 있는지, 하드웨어 적으로는 어떤 점을 개선해야 하는지 궁금합니다.


또한 다른 site에 있는 동일 장비에서는 같은 조건에서 Er이 크게 떨어지지 않는데

source power의 차이로 인한 열전달효율이 크게 다르기 때문이라고 볼 수 있는지요.

맞다면 이에 해당하는 공식이 무엇인지 알고 싶습니다.


답변 해주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [113] 4910
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16244
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51250
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 63756
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 83570
50 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 file 38
49 Polymer Temp Etch [1] 62
48 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 106
47 doping type에 따른 ER 차이 [1] 275
46 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 360
45 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 408
44 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 428
43 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 443
42 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 456
41 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 622
40 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 633
39 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 750
38 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 800
37 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 801
36 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 827
35 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 937
34 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 1004
33 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 1010
32 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 1085
» wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1216

Boards


XE Login