RPS를 이용하여 SiO2를 식각을 하려 하는데요..

가스는 NF3, NH3, O2를 이용하려 합니다.

NF3를 RPS쪽으로 흘려서 Plasma로 인가를 시키고..  NH3는 Gas상태로 다른 라인을 이용하여 함께 넣어 보았는데요...

SiO2가 생각보다 Etching이 되지 않네요...

어떤조건을 건드려 보는게 SiO2 에칭에 가장 효과 적일까요..?

조언 부탁 드립니다.


번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [143] 5821
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 17286
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 53122
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64500
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 85113
31 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1306
30 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 1352
29 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 1502
28 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 1530
27 터보펌프 에러관련 [1] 1541
26 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 1588
25 etching에 관한 질문입니다. [1] 1670
24 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 1944
23 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 1978
22 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2190
21 Plasma etcher particle 원인 [1] 2241
20 PR wafer seasoning [1] 2480
19 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2539
18 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 2964
17 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3550
16 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 3620
15 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 3932
» SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 3961
13 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 4255
12 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5005

Boards


XE Login