안녕하세요. 반도체 장비업체에서 근무하는 권보경입니다.

 

icp descum 장비에서 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상이 발생합니다.

Etch Rate이 감소하는 것은 있을 수 있는 일이지만 50% 이하로 나빠진 상태입니다.

어떤 변수들이 있을 수 있는지, 하드웨어 적으로는 어떤 점을 개선해야 하는지 궁금합니다.

 

또한 다른 site에 있는 동일 장비에서는 같은 조건에서 Er이 크게 떨어지지 않는데

source power의 차이로 인한 열전달효율이 크게 다르기 때문이라고 볼 수 있는지요.

맞다면 이에 해당하는 공식이 무엇인지 알고 싶습니다.

 

답변 해주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [316] 82120
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21875
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58659
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 70282
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 96013
» wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [ER과 self bias] [1] 1983
34 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [소자 식각 데미지] [1] 2197
33 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [MFC와 residence time] [1] 2233
32 doping type에 따른 ER 차이 [MD 시뮬레이션 연구] [1] 2293
31 etching에 관한 질문입니다. [충돌 현상 및 이온화 과정] [1] 2449
30 Etch 공정(PE mode) Vpp 변동 관련. [Self bias 형성 과정과 전자의 에너지] [1] 2501
29 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [Polymer coating 식각] [1] 2517
28 Dry etch 할 때 센터와 사이드 etch rate [Plasma diffusion과 distribution] [1] 2536
27 DRY Etcher Alarm : He Flow 관점 문의 드립니다. [O ring 결합부 근처 leak detect] [1] 2580
26 PR wafer seasoning [Particle balance, seasoning] [1] 2799
25 [RIE] reactice, non-reactice ion의 역할 [Dissociation과 Ar plasma] [1] 2813
24 RIE에 관한 질문이 있습니다. [Sheath 이온 거동 및 bias power] [1] 2841
23 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 3018
22 Plasma etcher particle 원인 [Particle issue와 wafer의 sheath] [1] 3255
21 Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련 [Sheath 전위 형성] [3] 3277
20 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [Flow rate와 moral ratio, resident time] [1] 3372
19 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [Standing wave 및 플라즈마 밀도 분포] [1] 3814
18 Plasma 식각 test 관련 문의 [플라즈마 데이터 처리] [1] 4112
17 플라즈마 식각 공정 중 폴리머의 거동 [재료 표면 반응] [1] 4320
16 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [장치 구조에 따른 공간 분포] [2] 4537

Boards


XE Login