Etch Polymer Temp Etch

2022.09.12 14:28

The 조회 수:635

안녕하세요

현직에있는 Etch Engineer입니다..

 

최근 Wordline으로 떨어지는 CMC공정에서의 Punching 이슈로 H/W관점에서 여러가지 Test를 하고있는 상황입니다.

(Punching Point는 300mm Wafer의 최외각보단 안쪽, 약 200~300 mm 사이에서 발생)

모든 Chamber에서 100%는 아니지만 현시점에선 200Hr 후반대 Variation이 있기때문에 그부분을 해소해야하는 상황인데요.

실험Test 결과를 바탕으로, Temp에 의한 Polymer유동 관점으로 메커니즘이 세워지지 않는 부분과

어떤 방향으로 Approach하면 좋을지 조언받기위해 질문 드립니다.

 

[Punching 개선된 Action]  *CCP설비이며 ESC가 Heater Chuck은 아님. Time Etch 사용

1. ESC Embossing 밀도 사양을 변경하여 ESC Temp가 기존대비 1도 상승하여 Reading됨

   → 초기 Punching Variation Issue는 해소

 

2. ESC Temp에 영향 주는 Chiller Temp Offset -1도 입력시, ESC Temp가 기존대비 1도 상승하여 Reading됨

    → 사용중 Punching 발생으로 해당 Input을 넣었을시, Punchng Issue가 일시적으로 해소되나 몇 매 진행후 다시 경시적으로

        Punching 발생

 

3. 상부 열전도율 높여주는 부품인 Pad(ShowerHead와 GDP사이 장착)를 Punching발생시점에 A급으로 교체

    → Sample 1매가 완벽하게 해소(그 이후 추가진행은 시도 안해봤으나, 2CB에서 2번 모두 재현성있게 확인됨.)

 

상기 3가지의 실험으로 봤을때,

- Pattern Wafer에 영향 주는 Temp가 기존대비 상승 → Wafer주변 Polymer 감소 → NOP에 유리 (Punching에 불리)

- 상부 열전도율 경시성으로 하향 → A급 교체후 열전도율 상승으로 Temp 기존대비 하향 → Polymer량 상대적으로 상부로 이동하여

  하부 Pattern Wafer 근처 Polymer량 감소 → NOP에 유리 (Punching에 불리)

☞모두 Punching에는 취약한 부분으로 수렴이되는데 어떤 개념을 놓쳤는지 그리고 이후 실험방향을 어떻게 잡아야하는

   지도 도움 부탁드립니다..

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76539
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
27 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2246
26 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2295
25 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2386
24 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2602
23 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2662
22 PR wafer seasoning [1] 2694
21 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2849
20 Plasma etcher particle 원인 [1] 2923
19 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 2933
18 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3490
17 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3949
16 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4240
15 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5183
14 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5419
13 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5732
12 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6200
11 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 6380
10 에칭후 particle에서 발생하는 현상 9497
9 ICP와 CCP의 차이 [3] 12432
8 ICP 식각에 대하여... 16904

Boards


XE Login