Etch etch defect 관련 질문드립니다

2022.04.28 18:19

르후앤 조회 수:407

1. etch 공정이 완료된 이후 가장자리에 다량의 defect가 발견되었는데 이때 원인을 분석하기 위한 방법이 무엇이 있을까요?

 

2. 또 1번의 defect를 줄이기 위한 방법이 무엇이 있을까요?

 

저 나름대로 공부를 해봤는데 다른분들 의견이 궁금해서 질문드립니다

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [113] 4907
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16241
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51250
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 63754
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 83561
50 DC Bias Vs Self bias [5] 30410
49 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 23710
48 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] 23234
47 Dry Etcher 에 대한 교재 [1] 22296
46 Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] 22071
45 RIE장비 에서 WALL 과 TOP 온도 20213
44 ICP 식각에 대하여... 16610
43 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [1] 13916
42 ICP와 CCP의 차이 [3] 10764
41 에칭후 particle에서 발생하는 현상 9076
40 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 5097
39 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 4853
38 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 3865
37 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 3657
36 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3476
35 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 3386
34 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 3131
33 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 2803
32 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2415
31 PR wafer seasoning [1] 2403

Boards


XE Login