RPS를 이용하여 SiO2를 식각을 하려 하는데요..

가스는 NF3, NH3, O2를 이용하려 합니다.

NF3를 RPS쪽으로 흘려서 Plasma로 인가를 시키고..  NH3는 Gas상태로 다른 라인을 이용하여 함께 넣어 보았는데요...

SiO2가 생각보다 Etching이 되지 않네요...

어떤조건을 건드려 보는게 SiO2 에칭에 가장 효과 적일까요..?

조언 부탁 드립니다.


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